מאושר!מ א ו ש ר
הודעה זאת נכתבה על ידי חבר בצוות התמיכה של פורום אטרף. ניתן לסמוך על תוכן הודעה זאת.


ענקית המדיה והשבבים SAMSUNG הכריזה היום כי היא פיתחה את רכיב הזיכרון הראשון
שלה מסוג DRAM המתבסס על טכנולוגית ייצור של 40 ננו מטר, על פי הצפי, הרכיב אמור
לצרוך כ 30 אחוזים פחות מתח מהשבבים הקיימים כיום ומיוצרים בטכנולגית ה 50 ננו מטר.
שבב בנפח 1Gb אשר ישמש לרכיב זיכרון בנפח 1GB מסוג DDR2 בתדר 800MHZ למחשבים


ניידים, נבדק ואושר עבור ערכת השבבים של איטנל - G\V45, במקביל החברה מייצרת שבב נוסף
בנפח 2Gb אשר צפוי להגיע לצרכן בסוף השנה הנוכחית.

אחד הדברים העיקריים שמשך את תשומת ליבנו היא העובדה כי סמסונג מציינת את המעבר לטכנולוגיה
החדשה כצעד חשוב ליצירת שבבים מהירים במיוחד אשר אמורים לשמש בעתיד את המחשבים הבייתים.

סמסונג לא סיפקה פרטים נוספים, אולם אין טעם להתחיל ולהתכונן לדור הבא של הזכרונות, שכן על
פי מקורות בתעשיה, המעבר מזיכרונות ה DDR3 לזיכרנות ה DDR4 יתבצע רק בשנת 2012.

מקור: TG Daily
קרדיט: IOPANEL.